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IRF530N

IRF530N

IRF530N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W

Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V

Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 37(max) nC

Tiempo de subida (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm

Paquete / Cubierta: TO220AB

0.36 con IVA - 0.30 sin IVA

30 disponibles

SKU 44L Categoria